![Ram SK Hynix 2GB DDR3L Bus 1600MHz thanh hóa](https://laptoptsc.com/uploads/product/RAM_LAPTOP/Ram_2GB_DDR3L_1333_Hy/Ram-SK-Hynix-2GB-DDR3L-Bus 1600.jpg)
![Ram SK Hynix 2GB DDR3L Bus 1600MHz thanh hóa](https://laptoptsc.com/uploads/product/RAM_LAPTOP/Ram_2GB_DDR3L_1333_Hy/Ram-SK-Hynix-2GB-DDR3L-Bus 1600.jpg)
![Ram SK Hynix 2GB DDR3L Bus 1600MHz thanh hóa](https://laptoptsc.com/uploads/product/RAM_LAPTOP/Ram_2GB_DDR3L_1333_Hy/toc-do-truyen-tin-hieu.jpg)
![Ram SK Hynix 2GB DDR3L Bus 1600MHz thanh hóa](https://laptoptsc.com/uploads/product/RAM_LAPTOP/Ram_2GB_DDR3L_1333_Hy/mat-do-toi-da-cua-mot-chip-nho.jpg)
![Ram SK Hynix 2GB DDR3L Bus 1600MHz thanh hóa](https://laptoptsc.com/uploads/product/RAM_LAPTOP/Ram_2GB_DDR3L_1333_Hy/dien-nang-tieu-thu.jpg)
Mã sản phẩm: Ram 2GB DDR3L - 1600
Tình trạng: Còn hàng
Giá bán: Liên hệ
Bảo hành: 12 Tháng
Thông số kĩ thuật RAM:
Nhà sản xuất |
Sk Hynix |
Model |
HMT425S6AFR6A-PB N0 AA |
Chuẩn RAM |
DDR3L |
Bus hỗ trợ |
1600MHz |
Dung lượng |
2GB |
Điện áp |
1.35v |
Bảo hành |
12 tháng |
Chữ L ở cuối cùng là viết tắt của từ Low tức là Ram DDR3L cho khả năng tiết kiệm điện tối đa, cho khả năng sử dụng thời lượng Pin lâu hơn, tiết kiệm hơn.
Xét về hình thức, DDR3 cũng giống với DDR2, có 240 chân nhưng nếu bạn cắm thanh RAM DDR3 vào khe DDR2 sẽ không vừa vì rãnh chia của DDR3 khác DDR2. Để dùng được DDR3, bạn phải có bo mạch chủ hỗ trợ DDR3 hay chọn bo mạch hỗ trợ cả 2 chuẩn DDR2 và DDR3 (có 2 khe cắm cho riêng DDR2 và DDR3). Ví dụ, bo mạch chủ MSI dòng Combo gồm MSI P35 Platinum Combo, MSI P35 Neo Combo, hoặc Gigabyte có GA P35C-DS3R...
Dễ nhận thấy DDR3 có tốc độ từ 800MHz đến 1600MHz. Như vậy có thể xem mốc 1333MHz là chuẩn thông thường của dòng DDR3 nếu dựa vào BXL sắp đến của Intel trên công nghệ 45nm sẽ có FSB 1333MHz. Hiện thời và trong tương lai gần, BMC, BXL FSB 1333MHz nhất là chipset vẫn sẽ hỗ trợ “ngược” với DDR2, nhưng với suy luận thông thường dựa trên tần số xung chúng ta dường như sẽ gặp phải “tình trạng thắt cổ chai” do hệ thống không khai thác hết luồng FSB của CPU. Tuy vậy, một số thử nghiệm ban đầu của chúng tôi tại Test Lab cho thấy sự khác biệt hiệu năng hệ thống giữa DDR2 và DDR3 vẫn chưa thực sự ấn tượng.
Đến đây, bạn có thể phần nào cảm nhận được Ram Laptop DDR3 xuất hiện do một phần “sức ép” của dòng cuốn CPU. Chúng ta sẽ thử xem xét 2 tốc độ cao nhất của mỗi chuẩn: DDR3-1600 và DDR2-800. Theo JEDEC, DDR3-1600 sẽ có độ trễ là 8-8-8, tương đương với 10ns. Trong khi đó, DDR2-800 đã đạt mức độ trễ 4-4-4 với thời gian tương đương 10ns. Nếu dựa trên chi tiết này, bạn sẽ dễ dàng đánh đồng về tốc độ của DDR2-800 tương đương với DDR3-1600
DDR3 dùng điện thế 1,5V trong khi DDR2 phải là 1,8V ở cùng tốc độ bus (trước đây, DDR phải đến 2,5V) nên sẽ làm giảm điện năng tiêu thụ. Hơn nữa, để cải thiện hơn nữa về năng lượng, DDR3 có chức năng làm tươi (refresh) theo vùng. Trước đây, DDR và DDR2 thực hiện chức năng refresh cho toàn bộ DRAM theo một chu kỳ nhất định, cả những DRAM đang ở trạng thái nghỉ (idle), do vậy tốn “tiền điện” vô ích. Còn DDR3 chỉ refresh theo chu kỳ những DRAM nào đang ở tình trạng hoạt động. Ngoài ra, DDR3 còn có bộ cảm biến nhiệt (chỉ là tùy chọn, không bắt buộc trong JEDEC) để giúp kỹ sư thiết kế quy định chu kỳ refresh tối thiểu nhằm cải thiện hơn nữa mức tiêu thụ điện năng có cơ chế bảo vệ để bộ nhớ hoạt động ở ngưỡng tối ưu; đây cũng là thước đo chính xác cho dân ép xung trong việc giám sát thành phần hệ thống.
Bên cạnh điện thế thấp của DDR3, để tăng khả năng hợp nhất của các module, JEDEC đưa ra mô hình liên kết dạng Fly-by giữa các DRAM và dòng chuyển dữ liệu (mang địa chỉ, lệnh, tín hiệu điều khiển và xung nhịp đồng hồ của DRAM này sang DRAM khác). Ram DDR2 dùng mô hình T và DDR3 cải tiến lên mô hình Fly-by. Trước đây, với mô hình T của DDR2, bạn có thể hình dung các lệnh và địa chỉ được đưa vào một cái phễu hình chữ T và được đổ xuống hết một lần cho các DRAM xử lý. Với mô hình Fly-by, dòng lệnh điều khiển và địa chỉ là dạng dòng đơn, duy nhất chạy từ DRAM này sang DRAM khác. Mô hình Fly-by nhờ bộ điều khiển để đưa ra độ trễ tín hiệu tự động ở DRAM và mỗi DRAM có một mạch điện cân chỉnh tự động và lưu lại dữ liệu cân chỉnh cho riêng module DRAM đó. Thay đổi mô hình từ T sang Fly-by cũng dẫn đến phải thay đổi các thuật toán đọc/ghi dữ liệu. Về lý thuyết, mô hình này rút ngắn được thời gian phân bổ dữ liệu đến DRAM hơn so với mô hình T.
Tần số của DDR3 đạt 1600MHz, gấp đôi của DDR2 800MHz nhờ có thông số data prefetch của DDR3 gấp đôi DDR2. Data prefetch có nhiệm vụ chuyển dữ liệu từ DRAM lưu trữ thông tin sang bộ đệm xuất/nhập. DDR2 dùng mẫu 4-bit và DDR3 dùng mẫu 8-bit nên lưu lượng dữ liệu từ DRAM đến bộ đệm của Ram DDR3 gấp đôi DDR2 nhưng vẫn chạy trên cùng một băng thông. Do vậy, đây là nguyên nhân dẫn đến độ trễ của DDR3 cao gấp đôi của DDR2. Ngoài ra, b ộđệm xuất/nhập của DDR3 phải tải nặng hơn DDR2.
Một điểm nổi trội của DDR3 chính là dung lượng chip được tăng lên đáng kể, có thể nói là gấp đôi so với DDR2. Một chip DDR3 có dung lượng từ 512Mb đến 8Mb, điều này có nghĩa là dung lượng một thanh RAM DDR3 có thể đạt đến 4GB.
Tuy DDR3 chưa thực sự cất cánh trong năm nay, nhưng theo dự đoán của các nhà phân tích, bạn có thể thấy được từ nay đến 2012, DDR3 sẽ bắt đầu phổ biến hơn và DDR2 sẽ dần dần biến mất, cũng như DDR đến năm 2008 sẽ hầu như không còn xuất hiện trên thị trường. Xa hơn nữa, Ram DDR4 sẽ xuất hiện năm 2011.